报告题目 (Title)：碳化硅人工突触器件与人工神经网络应用研究

报告人 (Speaker)：袁帅 博士（喀什大学）

报告时间 (Time)：2025年11月19日 (周三) 15:00-17:00

报告地点 (Place)：腾讯会议 779-270-086

邀请人 (Inviter)：戴晔

主办部门：理学院物理系

摘要 (Abstract)：

进入21世纪以来，随着大数据和深度学习的迅猛发展，人工智能已经推动了新一轮产业革命，并引起了广泛的研究。然而，当前AI在处理海量信息，尤其是处理大模型AI时面临着算力和高功耗的瓶颈问题，迫切需要发展一种全新的计算系统与器件来攻克这一难题。忆阻器作为一种新兴电子器件，在非线性变化电导方面呈现与生物大脑突触信号相似的特性，在模拟大脑功能方面具有显著优势，成为构建新一代人工智能计算系统的候选器件之一。碳化硅作为第三代半导体的典型代表之一，具备较大的能隙、高饱和电子速度、高热导率、高击穿电场强度、高载流子浓度、高迁移率以及出色的抗辐射性能等特点被广泛应用于制造紫外探测器、恶劣环境下的光电器件等领域，但SiC基忆阻器的相关研究开展较为缓慢。