研究成果： 研究领域为二维材料功能器件及其界面调控技术的研发。利用先进的半导体微纳加工技术以及原位的材料与器件表征技术，聚焦于二维功能材料的原位生长/制备、原子/电子结构表征、以及二维材料光电功能器件界面性质调控，从而开发了基于新型二维材料的高性能光电/电子功能器件。利用真空表界面生长技术，开发了原位精准构筑新型二维电介质材料的新思路，同时基于这种性能优异的原生电介质材料开发了新型器件的制备和应用。通过理论模型分析与实验数据相互结合的方法，创新性地探索新型电子器件结构模型，为发展后摩尔时代高价值系统提供了解决方案。 近5年来先后在该领域的《ACS nano》、《Adv. Funct. Mater. 》、《ACS Appl. Mater. Interfaces》、《Nano Research》、《SmartMat.》等期刊上发表及录用20余篇SCI论文，论文总引用超过900次，其中以第一作者和通讯作者发表SCI论文9篇；申请新加坡专利两项；多次获邀参加国际会议并获得奖项。 代表论文： 1.Jin, T.#; Mao, J.; Gao, J.; Han, C.; Loh, K. P.; Wee, A. T.; Chen, W. ‘Ferroelectrics-Integrated Two-Dimensional Devices toward Next-Generation Electronics’, ACS nano 2022, 16, 13595–13611. 2.Jin, T.#; Gao, J.; Wang, Y.; Zheng, Y.; Sun, S.; Liu, L.; Lin, M.; Chen, W. ‘Two-dimensional reconfigurable electronics enabled by asymmetric floating gate’, Nano Research 2021, 15, 4439-4447. 3.Jin, T.#; Zheng, Y.; Gao, J.; Wang, Y.; Li, E.; Chen, H.; Pan, X.; Lin, M.; Chen, W. ‘Controlling Native Oxidation of HfS2 for 2D Materials Based Flash Memory and Artificial Synapse’, ACS Appl. Mater. Interfaces 2021, 13, 10639-10649. 4.Ding, Y.; Hou, X.; Jin, T.*（共同通讯）; Wang, Y.; Lian, X.; Liu, Y.; Wang, Y.; Duan, S.; Geng, X.; Wang, M.; Mao, J.; Zhang, Y.; Tang, P.; Li, M.; Lin, H.; Zhu, Y.; Teo, S.; Zhu, Q.; Lin, M.; Chen, W., ‘Ultrathin Pt and Mo films on Al1–Sc N: an interface investigation’, Applied Surface Science 2023, 637, 157921. 5.Zhang, Q.; Jin, T.#（共一）; Ye, X.; Geng, D.; Chen, W.; Hu, W., ‘Organic Field Effect Transistor‐Based Photonic Synapses: Materials, Devices, and Applications’, Adv. Funct. Mater. 2021, 31 (49), 2106151.
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