研究成果: 研究领域为二维材料功能器件及其界面调控技术的研发。利用先进的半导体微纳加工技术以及原位的材料与器件表征技术,聚焦于二维功能材料的原位生长/制备、原子/电子结构表征、以及二维材料光电功能器件界面性质调控,从而开发了基于新型二维材料的高性能光电/电子功能器件。通过理论模型分析与实验数据相互结合的方法,创新性地探索新型电子器件结构模型,为发展后摩尔时代高价值系统提供了解决方案。 近年来先后在《Nature Communications》、《InfoMat》、《ACS nano》、《Adv. Funct. Mater. 》、《SmartMat.》等期刊上发表及录用20余篇SCI论文,论文总引用超过1500次,h指数为19。其中以第一作者和通讯作者发表SCI论文10余篇;申请新加坡专利两项;多次参加国内外会议并获得奖项;担任Nature Electronics、InfoMat等国际期刊审稿人。 代表论文: 1.Hou, X.; Zhang, W.; Duan, S.; Jin, T.*; Geng, X.; Lin, M.; Cai, Y.; Mao, J.; Luo, Y.; Zhu, J.; Lin, J.; Chen, W. Nat. Commun. 2025, 16, 9506. (共同通讯作者) 2.Jin, T.; Hou, X.; Shi, S.; Mao, J.; Cai, Y.; Luo, Y.; Zhang, W.; Zhu, J.; Lin, J.; Chen, J. S.; Chen, W. Infomat 2025, 7, e70022. (第一作者) 3.Jin, T.; Mao, J.; Gao, J.; Han, C.; Loh, K. P.; Wee, A. T.; Chen, W. ACS nano 2022, 16, 13595–13611. (第一作者) 4.Jin, T.; Zheng, Y.; Gao, J.; Wang, Y.; Li, E.; Chen, H.; Pan, X.; Lin, M.; Chen, W. ACS Appl. Mater. Interfaces 2021, 13, 10639-10649. (第一作者) 5.Jin, T.; Gao, J.; Wang, Y.; Zheng, Y.; Sun, S.; Liu, L.; Lin, M.; Chen, W. Nano Research 2021, 15, 4439-4447. (第一作者) 6.Ding, Y.; Hou, X.; Jin, T.*; Chen, W. et al. Appl. Surf. Sci. 2023, 637, 157921. (共同通讯作者) 7.Jin, T.; Gao, J.; Wang, Y.; Chen, W. Sci. China Mater. 2022, 65, 2154–2159. (第一作者) 8.Zhang, Q.#; Jin, T.#; Ye, X.; Geng D.; Chen, W., Hu, W. Adv. Funct. Mater. 2021, 31, 2106151. (共同第一作者) 9.Hou, X.; Jin, T.; Zheng, Y.; Chen, W. SmartMat 2023, e1236. (共同第一作者)
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